YVO4

嘉东科技可以为您提供Nd,Yb或者无掺杂的YVO4晶体。YVO4是一种有效廉价的固体增益介质,在小型固态激光设备中应用广泛,如激光笔和其他手持设备。

生产能力

Nd 掺杂浓度0.15 to 3.0mol%;
长棒大小可以从 半径1mm 到 15mm ,长度 0.02mm 到 20mm;
其他长棒和薄片尺寸,以及非标准掺杂浓度也可以根据要求生产;
AR,HR 和HT等各种镀膜;
定向A或者C方向,精度2°。

产品规格

掺杂浓度误差----------------------0.1%
平行度 ------------------------------<10 arc seconds
垂直度 ------------------------------<5 arc minutes
倒边----------------------------------0.1mm @45°
通光孔径----------------------------95%
表面光洁度-------------------------20/10或更好
平面度-------------------------------λ/8 @ 633nm
波前畸变----------------------------λ/8@633nm
损伤阈值---------------------------->15J/CM2 TEM00, 10NS, 10HZ

物理和光学特性
原子密度 (ND 1.0%)

~1.37X10-20 atomics/cm3

晶格结构

Zircon 四面体晶系, 空间群 D4tr |4/amd,
a=b=7.12Å; c=6.29Å

密度

4.22 g/cm3

莫氏硬度

Glass-like,~5

热膨胀系数t

a a=4.43X10-6/K,a c=11.37X10

导热性

||c:5.23 W/m/K;┴c:5.10 W/m/K

辐射波长

914nm,1064nm,1342nm

晶类

正单轴, no=ne=nb,ne=nc
no=1.9573, ne=2.1652, @ 1064nm
no=1.9721, ne=2.1858, @ 808nm
no=2.0210, ne=2.2560, @ 532nm

热透镜系数

dno/dT =8.5X10-6/K,dne/dT=3.0X10-6/K

受激辐射截面

25.0×10-19 cm2 ,@ 1064nm

荧光寿命

90 μ s @ 808nm

吸收系数

31.4 cm-1 @ 808nm

吸收长度

0.32mm @ 808nm

内在损耗

Less 0.1% cm-1 ,1064nm

增益带宽

0.96 nm(257 GHz)@ 1064nm

偏振辐射

parallel to optics axis(c-axis)

半导体泵浦效率 π 偏振

>60%

塞耳迈耶尔方程

no2=3.77834+0.069736/(λ2 – 0.04724) – 0.0108133 λ2
ne2=4.59905+0.110534/(λ2 – 0.04813) – 0.0122676 λ2